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CEM1010	文件：439.58 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,9.5A,RDS(ON)=15.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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制造商上传企业

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CEM1010

文件：439.58 Kbytes

Page：4 Pages

SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,9.5A,RDS(ON)=15.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SurfacemountPackage.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

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深圳市一线半导体有限公司	BR1010G	HYGROUP台产	24+	BR8	50000		询价
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更多BR1010G供应商更新时间2025-7-29 16:30:00

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