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BQ4013MA-120 集成电路(IC)存储器 TI/德州仪器

BQ4013MA-120BQ4013MA-120参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    BQ4013MA-120

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    TI/德州仪器

  • 库存数量:

    18116

  • 产品封装:

    NA

  • 生产批号:

    24+

  • 库存类型:

    热卖库存

  • 更新时间:

    2024-6-21 20:07:00

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原厂料号:BQ4013MA-120品牌:Texas Instruments

TI优势主营型号-原装正品

BQ4013MA-120是集成电路(IC) > 存储器。制造商Texas Instruments生产封装NA/32-DIP 模块(0.610",15.49mm)的BQ4013MA-120存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

  • 芯片型号:

    BQ4013MA-120

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    TI【德州仪器】详情

  • 厂商全称:

    Texas Instruments

  • 中文名称:

    美国德州仪器公司

  • 内容页数:

    15 页

  • 文件大小:

    164.85 kb

  • 资料说明:

    128 k X 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    BQ4013MA-120

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    120ns

  • 电压 - 供电:

    4.75V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    32-DIP 模块(0.610",15.49mm)

  • 供应商器件封装:

    32-DIP 模块(18.42x42.8)

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

供应商

  • 企业:

    中天科工半导体(深圳)有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    李先生

  • 手机:

    13128990370

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  • 传真:

    原装正品

  • 地址:

    深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B