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BQ4010YMA-150

8Kx8 Nonvolatile SRAM

文件:758.28 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

BQ4010YMA-150

8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

文件:178.13 Kbytes 页数:18 Pages

TI

德州仪器

BQ4010YMA-150

8 k 쨈 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

文件:354.8 Kbytes 页数:16 Pages

TI

德州仪器

BQ4010YMA-150N

8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

文件:178.13 Kbytes 页数:18 Pages

TI

德州仪器

BQ4010YMA-150N

8Kx8 Nonvolatile SRAM

文件:758.28 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

BQ4010YMA-150N

8 k 쨈 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

文件:354.8 Kbytes 页数:16 Pages

TI

德州仪器

BQ4010YMA-200

8Kx8 Nonvolatile SRAM

文件:758.28 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

BQ4010YMA-200

8 k 쨈 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

文件:354.8 Kbytes 页数:16 Pages

TI

德州仪器

BQ4010YMA-200

8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

文件:178.13 Kbytes 页数:18 Pages

TI

德州仪器

BQ4010YMA-200N

8Kx8 Nonvolatile SRAM

文件:758.28 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

产品属性

  • 产品编号:

    BQ4010YMA-150

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    64Kb(8K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    150ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    28-DIP 模块(0.61",15.49mm)

  • 供应商器件封装:

    28-DIP 模块(18.42x37.72)

  • 描述:

    IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI
2017+
DIP-28
12890
原装正品,诚信经营
询价
TI
2021+
DIP28
9450
原装现货。
询价
TI
2021+
DIP
6800
原厂原装,欢迎咨询
询价
TI/德州仪器
DIP28
23+
6000
专业配单原装正品假一罚十
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BENCHMARQ
97+
DIP28
3300
全新原装进口自己库存优势
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TI
DIP28
263
正品原装--自家现货-实单可谈
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2015+
SOP/DIP
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23+
DIP
5000
原装正品,假一罚十
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TI
2016+
DIP28
2500
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BENCHMARQ
17+
DIP28
9988
原装现货QQ:547425301手机17621633780杨小姐
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更多BQ4010YMA供应商 更新时间2022-6-12 10:12:00