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BQ4010YMA-70N

8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI

BQ4010YMA-70N

8 k 쨈 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

BQ4010YMA-70N

Package:28-DIP 模块(0.61",15.49mm);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

BQ4010YMA-70

8k쨈8NONVOLATILESRAM(5V,3.3V)

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

BQ4010YMA-70

8kx8NONVOLATILESRAM(5V,3.3V)

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI

产品属性

  • 产品编号:

    BQ4010YMA-70N

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    64Kb(8K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    28-DIP 模块(0.61",15.49mm)

  • 供应商器件封装:

    28-DIP 模块(18.42x37.72)

  • 描述:

    IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI
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更多BQ4010YMA-70N供应商 更新时间2025-8-2 15:36:00