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BQ4010MA-85	文件：178.13 Kbytes Page：18 Pages	8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V) 文件：178.13 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
BQ4010MA-85	文件：758.28 Kbytes Page：14 Pages	8Kx8 Nonvolatile SRAM 文件：758.28 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
BQ4010MA-85	文件：354.8 Kbytes Page：16 Pages	8 k 쨈 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V) 文件：354.8 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
BQ4010MA-85	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP	TI 德州仪器	TI
BQ4010MA-85N	文件：758.28 Kbytes Page：14 Pages	8Kx8 Nonvolatile SRAM 文件：758.28 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
BQ4010MA-85
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
64Kb（8K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
85ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
供应商器件封装：
28-DIP 模块（18.42x37.72）
描述：
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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