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BQ2201SN-N	文件：226.76 Kbytes Page：17 Pages	丝印：2201-N；Package：SOIC；SRAM Nonvolatile Controller Unit Features Power monitoring and switching for 3-volt battery-backup applications Write-protect control 3-volt primary cell inputs Less than 10ns chip-enable propagation delay 5% or 10% supply operation 文件：226.76 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
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BQ2201SN-NTRG4.B	文件：226.76 Kbytes Page：17 Pages	丝印：2201-N；Package：SOIC；SRAM Nonvolatile Controller Unit Features Power monitoring and switching for 3-volt battery-backup applications Write-protect control 3-volt primary cell inputs Less than 10ns chip-enable propagation delay 5% or 10% supply operation 文件：226.76 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
BQ2201SN-N
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 控制器
包装：
管件
控制器类型：
非易失性 SRAM
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC SRAM NONVOLATILE CNTRLR 8SOIC

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