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OPA2338	文件：1.19272 Mbytes Page：25 Pages	MicroSIZE,Single-SupplyCMOSOPERATIONALAMPLIFIERSMicroAmplifierSeries	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA2338	文件：179.31 Kbytes Page：9 Pages	MicroSIZE,Single-SupplyCMOSOPERATIONALAMPLIFIERSMicroAmplifier??Series	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
OPA2338EA	文件：179.31 Kbytes Page：9 Pages	MicroSIZE,Single-SupplyCMOSOPERATIONALAMPLIFIERSMicroAmplifier??Series	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
OPA2338UA	文件：179.31 Kbytes Page：9 Pages	MicroSIZE,Single-SupplyCMOSOPERATIONALAMPLIFIERSMicroAmplifier??Series	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
OPA2338UA	文件：1.19464 Mbytes Page：25 Pages	MicroSIZE,Single-SupplyCMOSOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PP2338	文件：271.37 Kbytes Page：4 Pages	HeatShrinkTubing	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PT2338	文件：234.66 Kbytes Page：3 Pages	150mWStereoAudioPowerAmplifier DESCRIPTION ThePT2338isastereopoweramplifierdesignedfortheaudioequipment;itispossibletodeliveryupto150mWpowertothe16Ωloads.Overallvoltagegainisdeterminebytheexternalresistors,forsomeapplicationneedshighercommonmoderejectperformancetocancelingcommonm	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2338-MS	文件：234.66 Kbytes Page：3 Pages	150mWStereoAudioPowerAmplifier DESCRIPTION ThePT2338isastereopoweramplifierdesignedfortheaudioequipment;itispossibletodeliveryupto150mWpowertothe16Ωloads.Overallvoltagegainisdeterminebytheexternalresistors,forsomeapplicationneedshighercommonmoderejectperformancetocancelingcommonm	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
RF2338	文件：55.55 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2338isageneralpurpose,low-costRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2338PCBA	文件：55.55 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2338isageneralpurpose,low-costRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

技术参数

PF：
0.9
Internal MOSRdson（Ω）：
2.0
Internal MOSBVDSS（V）：
600
Open circuitprotection：
External
Iout@Vo=72V（mA)(Vin=176V-265V)：
<250
Iout@Vo=36V（mA)(Vin=176V-265V)：
<360

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BP2338J供应商更新时间2025-7-28 16:27:00

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