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BR104	文件：872.35 Kbytes Page：3 Pages	SinglePhaseGlassPassivatedSiliconBridgeRectifier	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
BR104	文件：288.3 Kbytes Page：3 Pages	SinglePhaseSiliconBridgeRectifier	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
BR104	文件：61.64 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BR104	文件：283.88 Kbytes Page：3 Pages	SinglePhaseSiliconBridgeRectifier	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
BR104L	文件：37.16 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR104L	文件：398.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR104L	文件：93.41 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Plasticcasewithheatsinkforheatdissipation ●Surgeoverload-240~400Amperespeak ●TheplasticpackagehasULflammabilityclassification94V-0	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
BRS104	文件：115.21 Kbytes Page：3 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
BSH104	文件：51.34 Kbytes Page：8 Pages	N-channelenhancementmodeMOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeMOStransistorinaSOT23SMDpackage. FEATURES •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •Verylowthreshold. APPLICATIONS •‘Glue-logic’:interfacebetweenlogicblocksand/orperiphery •Powermanageme	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BT104	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BT104BBBACH	文件：350.15 Kbytes Page：1 Pages	10.4ColorTFT-LCDvideomodule	BOLYMIN ?BOLYMIN INC	BOLYMIN
BT104BBDACH	文件：308.75 Kbytes Page：1 Pages	10.4ColorTFT-LCDvideomodule	BOLYMIN ?BOLYMIN INC	BOLYMIN
BT104BBNNCH	文件：174.52 Kbytes Page：1 Pages	10.4ColorTFT-LCDmodule	BOLYMIN ?BOLYMIN INC	BOLYMIN
BT104BEBACH	文件：347.66 Kbytes Page：1 Pages	10.4ColorTFT-LCDvideomodule	BOLYMIN ?BOLYMIN INC	BOLYMIN
BT104BEDACH	文件：312.85 Kbytes Page：1 Pages	10.4ColorTFT-LCDvideomodule	BOLYMIN ?BOLYMIN INC	BOLYMIN
BU104	文件：123.34 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BU104	文件：214.84 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=150V(Min.) •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=2.5V(Max.)@IC=7A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflexionoutputstageofB/W TVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ104	文件：208.25 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtratedLowon-resistance) •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •dv/dtrated •Lowon-resistance •175°Coperatingtemperature •alsoinTO-220SMDavailable	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BUZ104	文件：65.99 Kbytes Page：2 Pages	Ultralowon-resistance	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ104L	文件：209.95 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-ratedLogicLeveldv/dtratedLowon-resistance) •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •LogicLevel •dv/dtrated •Lowon-resistance •175°Coperatingtemperature •alsoinTO-220SMDavailable	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS

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详细参数

型号：
BNP104K
制造商：
Ohmite Mfg Co

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BNP104K供应商更新时间2024-5-31 17:35:00

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