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BMS4003

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

文件:306.3 Kbytes 页数:5 Pages

SANYO

三洋

BMS4007

General-Purpose Switching Device Applications

文件:321 Kbytes 页数:5 Pages

SANYO

三洋

BMS4007

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:293.31 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BMS4007

N-Channel Power MOSFET

文件:248.12 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BMS4007

N 沟道,功率 MOSFET,75V,60A,7.8mΩ

BMS4007 is an N-Channel Power MOSFET, 75V, 60A, 7.8mΩ, TO-220ML(LS) for general purpose switching applications. Low on resistance : RDS(on) = 6mΩ (typ)\nLow capacitance : Ciss = 9700pF (typ)\n10V drive;

ONSEMI

安森美半导体

BMS4003

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML

ONSEMI

安森美半导体

BMS4007-1E

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    BMS400

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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ON Semiconductor
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更多BMS400供应商 更新时间2025-12-16 17:59:00