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BMS4003	文件：306.3 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications 文件：306.3 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
BMS4003	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BX4003	文件：41.78 Kbytes Page：1 Pages	RF AMPLIFIER MODEL 文件：41.78 Kbytes 页数：1 Pages	APITECH	APITECH
BX4003PM	文件：222.88 Kbytes Page：1 Pages	RF AMPLIFIER MODEL 文件：222.88 Kbytes 页数：1 Pages	APITECH	APITECH
C4003ERW	文件：250.5 Kbytes Page：2 Pages	Compact, 2:1 Input 40W, Single Output DC/DC Converters 文件：250.5 Kbytes 页数：2 Pages	MPD	MPD

详细参数

型号：
BMS4003
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多BMS4003供应商更新时间2025-10-4 15:08:00

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