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WCR1206-3R3FI	文件：385.37 Kbytes Page：17 Pages	RFPowerLDMOSTransistorN−ChannelEnhancement−ModeLateralMOSFET This93WasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesignedfor cellularbasestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof1427to 1517MHz. Features •Advancedhighperformancein−packageDoherty •Greaternegativegate−sourcevoltagerangeforimprovedClassCoperation	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

更多BML1206-3R3KLF供应商更新时间2024-5-26 9:30:00