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WCR1206-3R3FI	文件：385.37 Kbytes Page：17 Pages	RF Power LDMOS Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET This93WasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesignedfor cellularbasestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof1427to 1517MHz. Features •Advancedhighperformancein−packageDoherty •Greaternegativegate−sourcevoltagerangeforimprovedClassCoperation	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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更多WCR1206-3R3F供应商更新时间2024-5-15 16:06:00