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BMI-S-209-C	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	Microwave Absorber Microwave Absorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BMI-S-209-C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频屏蔽描述：RF SHIELD 0.728\	Laird Technologies EMI Laird Technologies EMI	Laird Technologies EMI
BMI-S-209-C-20	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频屏蔽描述：SBS,COVR,LP	LairdLaird-Signal Integrity Products 莱尔德美国莱尔德科技集团	Laird
BMI-S-209-F	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	MicrowaveAbsorberMicrowaveAbsorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BMIS-209-F	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	MicrowaveAbsorberMicrowaveAbsorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BS209	文件：37.98 Kbytes Page：2 Pages	DMOSTransistors(P-Channel) FEATURES ♦Highinputimpedance ♦Lowgatethresholdvoltage ♦Lowdrain-sourceONresistance ♦High-speedswitching ♦Nominoritycarrierstoragetime ♦CMOSlogiccompatibleinput ♦Nothermalrunaway ♦Nosecondarybreakdown	GE GE Industrial Company	GE
BSS209PW	文件：284.82 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS209PW	文件：75.35 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BU209	文件：127.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighReverseVoltage •HighPeakPower •CollectorCurrent-IC=4A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsincolorTVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU209	文件：130.58 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

产品属性

产品编号：
BMI-S-209-C
制造商：
Laird Technologies EMI
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频屏蔽
系列：
SMT 2 Piece
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
盖
高度 - 总体：
0.118"（3.00mm）
长度 - 总体：
1.180"（29.96mm）
宽度 - 总体：
0.752"（19.10mm）
通风：
非通风
安装类型：
卡入式
描述：
RF SHIELD 0.728\

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更多BMI-S-209-C供应商更新时间2025-7-20 15:35:00

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