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BMI-S-206-C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频屏蔽描述：RF SHIELD 1.344\	Laird Technologies EMI Laird Technologies EMI	Laird Technologies EMI
BMI-S-206-C-H16	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频屏蔽描述：RF SHIELD 1.326\	Laird Technologies EMI Laird Technologies EMI	Laird Technologies EMI
BMIS-206-F	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	MicrowaveAbsorberMicrowaveAbsorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BP-206SI	文件：96.5 Kbytes Page：1 Pages	Wallmount,ISA,6-SlotBackplane,SingleSegment	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
BR206	文件：696.89 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor5VSystemIntermediateBus Description TheBR206isathintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. FeaturesandBenefits •Industrystandardfootprint •Improvedsoldering:gold-platedpadsandsidenot	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
BR206	文件：697.33 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor5VSystemIntermediateBus	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
BSH206	文件：144.4 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. FEATURES •Verylowthresholdvoltage •Fastswit	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSP206	文件：65.25 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES •VerylowRDS(on) •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BU206DL	文件：119.41 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION Mainlyusedfor110VpowerFluorescentLamp、 ElectronicBallast，etc	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BUZ206	文件：172.49 Kbytes Page：6 Pages	mainratings Description:FREDFETwithfast-recoveryreversediode,N-channel,enhancementmode	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

产品属性

产品编号：
BMI-S-206-C
制造商：
Laird Technologies EMI
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频屏蔽
系列：
SMT 2 Piece
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
盖
高度 - 总体：
0.079"（2.00mm）
长度 - 总体：
1.468"（37.29mm）
宽度 - 总体：
1.344"（34.14mm）
通风：
通风孔，按样式排列
安装类型：
卡入式
描述：
RF SHIELD 1.344\

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更多BMI-S-206-C供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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