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BMI-S-203-C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频屏蔽描述：RF SHIELD 1.05\	Laird Technologies EMI Laird Technologies EMI	Laird Technologies EMI
BMI-S-203-C-20	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频屏蔽描述：RF SHIELD 1.048\	Laird Technologies EMI Laird Technologies EMI	Laird Technologies EMI
BMIS-203-F	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	MicrowaveAbsorberMicrowaveAbsorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BP203	文件：4.95484 Mbytes Page：28 Pages	MiniatureBasedLEDLamps	LEDTRONICS LEDTRONICS, INC	LEDTRONICS
BR203	文件：616.67 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus Description TheBR202andBR203arethintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. Theycanbeusedasdesign-freePOLconvertersfora12Vsystemintermediatebus.Theycan	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
BR203	文件：617.11 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus Description TheBR202andBR203arethintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. Theycanbeusedasdesign-freePOLconvertersfora12Vsystemintermediatebus.Theycan	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
BSH203	文件：149.08 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing.TheBSH203issuppliedintheSOT23subminiaturesur	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSH203	文件：122.93 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BSH203	文件：236.36 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES •Verylowthresholdvoltage •Fastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehaslow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmakingi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSO203P	文件：82.89 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
BMI-S-203-C
制造商：
Laird Technologies EMI
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频屏蔽
系列：
SMT 2 Piece
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
盖
高度 - 总体：
0.079"（2.00mm）
长度 - 总体：
1.050"（26.67mm）
宽度 - 总体：
1.050"（26.67mm）
通风：
通风孔，按样式排列
安装类型：
卡入式
描述：
RF SHIELD 1.05\

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更多BMI-S-203-C供应商更新时间2025-5-26 11:12:00

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