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BMI-S-201-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频屏蔽描述：RF SHIELD 0.5\	Laird Technologies EMI Laird Technologies EMI	Laird Technologies EMI
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BS201N	文件：225.44 Kbytes Page：3 Pages	GasDischargeTube	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 槟城电子深圳市槟城电子股份有限公司	Bencent
BSH201	文件：150.87 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. FEATURES •Lowthresholdvoltage •Fastswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSH201	文件：2.50739 Mbytes Page：5 Pages	1.7,60VP-ChannelMOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSH201	文件：238.18 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES •Lowthresholdvoltage •Fastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehaslow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmakingitide	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSO201SP	文件：82.47 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSO201SPH	文件：319.72 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSP-Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BT201	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
BMI-S-201-F
制造商：
Laird Technologies EMI
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频屏蔽
系列：
SMT 2 Piece
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
框架
高度 - 总体：
0.100"（2.54mm）
长度 - 总体：
0.538"（13.66mm）
宽度 - 总体：
0.500"（12.70mm）
安装类型：
表面贴装型
描述：
RF SHIELD 0.5\

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BMI-S-201-F供应商更新时间2025-5-28 14:00:00

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