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BM63763S-VA中文资料600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive数据手册ROHM规格书

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厂商型号

BM63763S-VA

参数属性

BM63763S-VA 封装/外壳为25-PowerDIP 模块(1.134",28.80mm);包装为托盘;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP

功能描述

600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive
IC IPM 600V IGBT SW 25HSDIP

封装外壳

25-PowerDIP 模块(1.134",28.80mm)

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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BM63763S-VA规格书详情

描述 Description

是将栅极驱动器、自举二极管、IGBT、再生用快速恢复二极管一体化封装的智能电源模块(IPM)。面向诸如洗衣机、风扇电机等高速开关用途,采用降低了开关损耗的IGBT。

特性 Features

• 3phase DC/AC Inverter
• 600V/10A
• Low Low Side IGBT Open Emitter
• Built-in Bootstrap Diode
• High Side IGBT Gate Driver (HVIC) : SOI (Silicon On Insulator) Process, Drive Circuit, High Voltage Level Shifting, Current Limit for Bootstrap Diode, Control Supply Under-Voltage Locked Out (UVLO)
• Low Side IGBT Gate Driver (LVIC) : Drive Circuit, Short Circuit Current Protection (SCP), Control Supply Under Voltage Locked Out (UVLO), Thermal Shutdown (TSD)
• Fault Signal (LVIC) Corresponding to SCP (Low Side IGBT), TSD, UVLO Fault
• Input Interface 3.3V, 5V Line

简介

BM63763S-VA属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的BM63763S-VA功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BM63763S-VA

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :HSDIP25

  • 包装数量

    :60

  • 最小独立包装数量

    :60

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Power Device

    :IGBT

  • VCES [V]

    :600

  • IC [A]

    :10

  • Vce(sat) [V]

    :1.7

  • Reccomended Switching Frequency [kHz]

    :~20

  • Isolation Voltage [Vrms]

    :1500

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-40

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :125

  • Package Size [mm]

    :38x24 (t=3.75)

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