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BM60213FV-C中文资料1200V耐压 高边/低边驱动器数据手册ROHM规格书
BM60213FV-C规格书详情
描述 Description
BM60213FV-C是可驱动使用阴极负载方式的Nch-MOSFET及IGBT的1200V高耐压高边/低边驱动器。内置低电压时误动作防止功能（UVLO）。
特性 Features
• AEC-Q100 Qualified(Grade 1)
• High-Side Floating Supply Voltage 1200 V
• Under Voltage Lockout Function
• 3.3 V and 5.0 V Input Logic Compatible
技术参数
- 产品编号：
BM60213FV-CE2
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 系列：
Automotive, AEC-Q100
- 包装：
管件
- 驱动配置：
高压侧或低压侧
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 24V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4.5A，3.9A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
50ns，50ns
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
20-SSOP（0.240"，6.10mm 宽）
- 供应商器件封装：
20-SSOP-BW
- 描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMC |
24+ |
Communication802.11b |
990000 |
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BUSSMANN |
24+ |
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23+ |
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Rohm Semiconductor |
23+ |
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