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BM60212FV-C中文资料1200V耐压 高边/低边驱动器数据手册ROHM规格书

厂商型号 |
BM60212FV-C |
参数属性 | BM60212FV-C 封装/外壳为20-SSOP(0.240",6.10mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP |
功能描述 | 1200V耐压 高边/低边驱动器 |
封装外壳 | 20-SSOP(0.240",6.10mm 宽) |
制造商 | ROHM Rohm |
中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 13:58:00 |
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BM60212FV-C规格书详情
描述 Description
BM60212FV-C是可驱动使用阴极负载方式的Nch-MOSFET及IGBT的1200V高耐压高边/低边驱动器。内置内置镜夹功能/低电压时误动作防止功能(UVLO)。
特性 Features
• AEC-Q100 Qualified(Grade 1)
• High-Side Floating Supply Voltage 1200V
• Active Miller Clamping
• Under Voltage Lockout Function
• 3.3V and 5.0V Input Logic Compatible
简介
BM60212FV-C属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的BM60212FV-C栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号:
BM60212FV-CE2
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包装:
管件
- 驱动配置:
高压侧和低压侧
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 24V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
4.5A,3.9A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
50ns,50ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
20-SSOP(0.240",6.10mm 宽)
- 供应商器件封装:
20-SSOP-BW
- 描述:
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
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ROHM(罗姆) |
24+ |
SSOP206.1mm |
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ROHM / 半导体 |
ROHS.ORIGINAL |
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40000 |
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ROHM |
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ROHM Semiconductor |
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ROHM |
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ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
10000 |
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ROHM/罗姆 |
22+ |
SSOP-20 |
7400 |
原装正品 |
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24+ |
N/A |
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