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BM3415E	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
CJ3415	文件：1.20339 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：1.20339 Mbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJ3415	文件：1.22721 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel 20-V(D-S) MOSFET 文件：1.22721 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJ3415-HF	文件：137.82 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET 文件：137.82 Kbytes 页数：5 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
4.8A
栅源极阈值电压：
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻：
45mΩ @ 4A
最大功率耗散（Ta=25°C）：
1.5W
类型：
P沟道

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更多BM3415E供应商更新时间2025-12-25 16:29:00

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