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M29F400T	文件：231.73 Kbytes Page：34 Pages	4Mbit512Kbx8or256Kbx16,BootBlockSingleSupplyFlashMemory DESCRIPTION TheM29F400isanon-volatilememorythatmaybeerasedelectricallyattheblockorchiplevelandprogrammedin-systemonaByte-by-ByteorWordby-Wordbasisusingonlyasingle5VVCCsupply.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.T	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MBM29F400TC	文件：542.24 Kbytes Page：47 Pages	4M(512KX8/256KX16)BIT ■GENERALDESCRIPTION TheMBM29F400TC/BCisa4M-bit,5.0V-onlyFlashmemoryorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheMBM29F400TC/BCisofferedina48-pinTSOPand44-pinSOPpackages.Thisdeviceisdesignedtobeprogrammedin-systemwiththestandardsystem5	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
MBM29F400TC	文件：566.12 Kbytes Page：48 Pages	FLASHMEMORYCMOS4M(512Kx8/256Kx16)BIT ■DESCRIPTION TheMBM29F400TC/BCisa4M-bit,5.0V-onlyFlashmemoryorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheMBM29F400TC/BCisofferedina48-pinTSOPand44-pinSOPpackages.Thisdeviceisdesignedtobeprogrammedin-systemwiththestandardsystem5.0VV	spansionSPANSION 飞索飞索半导体	spansion
MX29F400CT	文件：442.66 Kbytes Page：42 Pages	4M-BIT[512Kx8/256Kx16]CMOSSINGLEVOLTAGE5VONLYBOOTSECTORFLASHMEMORY	MCNIXMacronix International ????????????旺宏????????????旺宏电子	MCNIX
MX29F400T	文件：710.83 Kbytes Page：44 Pages	4M-BIT[512Kx8/256Kx16]CMOSFLASHMEMORY	MCNIXMacronix International ????????????旺宏????????????旺宏电子	MCNIX
TMS29F400B	文件：670.74 Kbytes Page：51 Pages	524288BY8-BIT/262144BY16-BITFLASHMEMORIES	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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详细参数

型号：
BM29F400T
功能描述：
4 MEGABIT(512K x 8/ 256K x 16) 5 VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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