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BLY89	文件：68.97 Kbytes Page：11 Pages	VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, industrial and military transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a s 文件：68.97 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI
BLY89C	文件：68.97 Kbytes Page：11 Pages	VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, industrial and military transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a s 文件：68.97 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI
BLY89C	文件：17.77 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLY89C is Designed primarily for VHF communications, up to 175 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 6.0 dB at 25 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：17.77 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLY89C	文件：50.36 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLY89C is Designed primarily for VHF communications, up to 175 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 6.0 dB at 25 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：50.36 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLY89C	文件：300 bytes Page：1 Pages	VHF power transistor	恩XP	恩XP
BLY89C	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
BLY89C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 18V 6A 4-Pin CRPM	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
BLY89(A,C)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
3.5A
最大工作频率：
175MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLY93,MRF209,MRF238,2N5591,2N6082,2N6083,3DP420A,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
36
htest：
175000000
atest：
3.5
wtest：
25

技术参数

Output Power：
25W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
10@2.5A@5V
Maximum Transition Frequency：
800(Typ)MHz
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
18V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.7(Typ)@1.5A@7.5AV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

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