BLV20中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BLV20三极管、BLV20晶体管、BLV20晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
甚高频 （VHF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
65V
- 最大电流允许值：
0.9A
- 最大工作频率：
175MHZ
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
8W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-266
- vtest：
65
- htest：
175000000
- atest：
0.9
- wtest：
8
BLV20规格书详情
DESCRIPTION
N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions.
It has a 3/8 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.
产品属性
- 型号：
BLV20
- 功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
4 V
- 集电极连续电流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封装/箱体：
Case 211-11
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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