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BLT5BPT680LN1L	文件：374.65 Kbytes Page：3 Pages	It can be used under the -55 ??to 150 ??usage environment 1.Itcanbeusedunderthe-55℃to+150℃ usageenvironment. 2.Meetslargecurrentupto11Amax. suitableforpowerlines. 3.Meetstosurfacemounting. 4.Goodbiascurrentcharacteristicsenables lessdropdownofimpedanceunderlargecurrent. Application Generalpowerlines.	MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所	MURATA1
BLT61	文件：55.73 Kbytes Page：8 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialpowertransistorencapsulatedinaSOT96-1(SO8)package. FEATURES •Highefficiency •Highgain •Internalpre-matchedinput •Lowsupplyvoltage. APPLICATIONS •Hand-heldradioequipmentincommonemitterclass-AB operationfor900MHzcommunic	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLT70	文件：73.88 Kbytes Page：11 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedinaplasticSOT223HSMDpackage. FEATURES •Veryhighefficiency •Lowsupplyvoltage. APPLICATIONS •Hand-heldradioequipmentincommonemitterclass-ABoperationinthe900MHzcommunicationband.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLT70	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLT71	文件：108.89 Kbytes Page：12 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedinaSOT223envelope. FEATURES •Veryhighefficiency •Lowsupplyvoltage. APPLICATIONS •Hand-heldradioequipmentincommonemitterclass-ABoperationinthe900MHzcommunicationsband.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLT80	文件：102.86 Kbytes Page：12 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedinaplasticSOT223SMDpackage. FEATURES •SMDencapsulation •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •Hand-heldradioequipmentinthe900MHz communicationband.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLT80	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLT81	文件：102.18 Kbytes Page：12 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedinaplasticSOT223SMDpackage. FEATURES •SMDencapsulation •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •Hand-heldradioequipmentinthe900MHz communicationband.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLT81	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLT82	文件：75.01 Kbytes Page：11 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedinaplasticSOT96-1(SO8)SMDpackage. FEATURES •Highefficiency •Highgain •Internalpre-matchedinput. APPLICATIONS •Hand-heldradioequipmentincommonemitterclass-AB operationfor900MHzTimeDivisionMultiple	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BLT
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市佳杰伟业科技有限公司	BLT11	VISHAY/威世	2402+	DIP	17110	优势代理渠道,原装现货,可全系列订货	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	BLT11	VISHAY	13+	DIP	18368	原装分销	询价
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