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BLS9G2729LS-350U	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：SOT-502B 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司	Ampleon
BLS9G2729LS-350	文件：1.24528 Mbytes Page：13 Pages	LDMOSS-bandradarpowertransistor Generaldescription 350WLDMOSpowertransistorforS-bandapplicationsinthefrequencyrangefrom 2.7GHzto2.9GHz. Featuresandbenefits Highefficiency Excellentruggedness DesignedforS-bandoperations Excellentthermalstability Easypowercontrol Integrateddualsid	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司	Ampleon

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BLS9G2729LS-350U

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包装：管件封装/外壳：SOT-502B 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司

Ampleon

BLS9G2729LS-350

文件：1.24528 Mbytes

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LDMOSS-bandradarpowertransistor

Generaldescription 350WLDMOSpowertransistorforS-bandapplicationsinthefrequencyrangefrom 2.7GHzto2.9GHz. Featuresandbenefits Highefficiency Excellentruggedness DesignedforS-bandoperations Excellentthermalstability Easypowercontrol Integrateddualsid

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司

Ampleon

产品属性

产品编号：
BLS9G2729LS-350U
制造商：
Ampleon USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
管件
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2.7GHz ~ 2.9GHz
增益：
14dB
额定电流（安培）：
4µA
功率 - 输出：
350W
封装/外壳：
SOT-502B
供应商器件封装：
SOT502B
描述：
RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B

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