BLS6G2933S-130,112 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 PHI

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1+	面议

厂家型号：
BLS6G2933S-130,112
产品分类：
芯片
生产厂商：
PHI
库存数量：
7300
产品封装：
2013+
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-19 15:01:00

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原厂料号：BLS6G2933S-130,112品牌：PHI

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BLS6G2933S-130,112是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商PHI/Ampleon USA Inc.生产封装2013+/SOT-922-1的BLS6G2933S-130,112晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
BLS6G2933S-130,112
规格书：
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资料说明：
射频MOSFET电源晶体管 TRANS S-BAND RADAR LDMOS

产品属性

类型
描述
产品编号：
BLS6G2933S-130,112
制造商：
Ampleon USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2.9GHz ~ 3.3GHz
增益：
12.5dB
额定电流（安培）：
33A
功率 - 输出：
130W
封装/外壳：
SOT-922-1
供应商器件封装：
CDFM2
描述：
RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221

供应商

企业：
深圳市安富世纪电子有限公司
商铺：
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联系人：
赵妍
手机：
18100277303
询价：
电话：
0755-23991454
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深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17E

BLS6G2933S-130,112 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 PHI

BLS6G2933S-130,112

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