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BLS3135-65	文件：72.38 Kbytes Page：12 Pages	Microwavepowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorina2-leadrectangularflangepackagewithaceramiccap(SOT422A)withthecommonbaseconnectedtotheflange. FEATURES •Suitableforshortandmediumpulseapplications •Internalinputandoutputmatchingnetworksforan	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PH3135-65M	文件：107.38 Kbytes Page：3 Pages	RadarPulsedPowerTransistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
PH3135-65M	文件：107.38 Kbytes Page：3 Pages	RadarPulsedPowerTransistor65W,3.1-3.5GHz,100關sPulse,10Duty Features •NPNsiliconmicrowavepowertransistors •Commonbaseconfiguration •BroadbandClassCoperation •Highefficiencyinter-digitizedgeometry •Diffusedemitterballastingresistors •Goldmetallizationsystem •Internalinputandoutputimpedancematching •Hermeticmetal/cerami	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
PH3135-65M	文件：228.9 Kbytes Page：2 Pages	RadarPulsedPowerTransistor,65Watts,3.10-3.50GHz,100usPulse,10Duty Features ■NPNSiliconMicrowavePowerTransistor ■CommonBaseConfiguration ■BroadbandClassCOperation ■HighEfficiencyInterdigitatedGeometry ■GoldMetalizationSystem ■InternalInputandOutputImpedanceMatching ■HermeticMetal/CeramicPackage	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
BLUENRG-2	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST QFN-32 QFN-48	ST 相关企业：深圳市科恒伟业电子有限公司	ST

详细参数

型号：
BLS3135-65 TRAY
功能描述：
射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

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更多BLS3135-65 TRAY供应商更新时间2025-7-31 9:09:00

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