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BLS3135-10	文件：78.31 Kbytes Page：12 Pages	Microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a 2-lead rectangular flange package with a ceramic cap (SOT445C) with the common base connected to the flange. FEATURES • Suitable for short and medium pulse applications • Internal input and output matching networks for an 文件：78.31 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
BLS3135-10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Microwave power transistor	恩XP	恩XP
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BLUENRG-248	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-48	ST 上传：深圳市万德鸿科技有限公司	ST
BLUENRG-345AC	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-32	ST 上传：深圳市铭尔达科技有限公司	ST

详细参数

型号：
BLS3135-10
功能描述：
射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

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更多BLS3135-10供应商更新时间2026-1-29 10:31:00

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