BLM08N06L中文资料沟槽栅金属氧化物半导体场效应管数据手册Belling规格书
BLM08N06L规格书详情
描述 Description
The BLM08N06L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
特性 Features
• ● High density cell design for ultra low Rdson
• ● Fully characterized Avalanche voltage and current
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA |
2016+ |
SMD |
10000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
MURATA/村田 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
上海贝岭 |
22+ |
TO220, TO252, SOP8 |
150000 |
上海贝岭全系列在售,优势渠道 |
询价 | ||
MUR |
23+ |
14600 |
询价 | ||||
MURATA/村田 |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
Murata |
23+ |
1005 |
9868 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
MURATA |
25+23+ |
34482 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | |||
MURATA/村田 |
22+ |
SMD |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
24+ |
45000 |
询价 | |||||
Murata |
25+ |
10000 |
公司优势库存 热卖中!! |
询价 |
