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BLM07N06

沟槽栅金属氧化物半导体场效应管

The BLM07N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. • High density cell design for ultra low Rdson\n• Fully characterized Avalanche voltage and current;

Belling

上海贝岭

BLM10D3438-35AB

QFN

Ampleon

安谱隆

上传:深圳市长旗科技有限公司

BLM15AG102SN1

BLM15AG102SZ1D

SMD0402

BLM15AG121SH1D

SMD0402

技术参数

  • Mode:

    N-Channel

  • VDS(Max.):

    60V

  • ID(Max.):

    95A

  • RDS(on)(Max.):

    7mΩ

  • Qg(Typ):

    80nC

  • Package:

    TO220 TO252 TO263

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
N/A
24+
N/A
11048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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上海贝岭
22+
TO220 TO252 TO263
150000
上海贝岭全系列在售,优势渠道
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上海贝岭
23+
TO220 TO252 TO263
100000
原装正品假一罚十,代理渠道价格优
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BELLING/上海贝岭
25+
TO220 TO252 TO263
820000
全新原厂原装正品支持实单
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24+
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57000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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NK/南科功率
2025+
TO-252-2
986966
国产
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BELLING
23+
A
50000
全新原装正品现货,支持订货
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BELLING
2104
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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BOLAI/新铂铼
24+
SMD8X6
60000
全新原装现货
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LB-LINK
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DNA
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更多BLM07N06供应商 更新时间2025-12-14 17:01:00