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BLL8H1214L-250中文资料LDMOS L-band radar power transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
BLL8H1214L-250 |
| 参数属性 | BLL8H1214L-250 封装/外壳为SOT-502A；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A |
| 功能描述 | LDMOS L-band radar power transistor |
| 封装外壳 | SOT-502A |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-16 11:10:00 |
| 人工找货 | BLL8H1214L-250价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLL8H1214L-250规格书详情
描述 Description
250 W LDMOS power transistor intended for L-band radar applications in the 1.2 GHz to1.4 GHz range.
特性 Features
Easy power control
Integrated dual side ESD protection
High flexibility with respect to pulse formats
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (1.2 GHz to 1.4 GHz)
Internally matched for ease of use
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances(RoHS)
应用 Application
L-band power amplifiers for radar applications in the 1.2 GHz to 1.4 GHz frequencyrange
技术参数
- 制造商编号
：BLL8H1214L-250
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：17.0
- PL(AV) (W)
：null
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：50.0
- ηD (%)
：55.0
- PL(1dB) (W)
：250.0
- PL(1dB) (dBm)
：54.0
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：1200
- Fmax (MHz)
：1400
- Status
：Production
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPLEONUSAINC |
23+ |
SOT-502B |
20000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
67000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Ampleon/安谱隆 |
24+ |
SOT502A |
8500 |
Ampleon/安谱隆通信系列在售 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
SOT502A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
AMPLEON |
25+ |
SMD |
10 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
2022+ |
LDMOST |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
37 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Ampleon(安谱隆) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
Ampleon |
22+ |
NA |
50 |
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询价 |
