BLF8G27LS-100P 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频恩XP

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
BLF8G27LS-100P
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
生产厂商：
恩XP
库存数量：
1688
产品封装：
生产批号：
23+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-11-17 10:32:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：BLF8G27LS-100P品牌：恩XP

房间现货库存:QQ:373621633

BLF8G27LS-100P是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商恩XP/Ampleon USA Inc.生产封装SOT-1121B的BLF8G27LS-100P晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
BLF8G27LS-100P_15
规格书：
下载下载2
企业简称：
PHILIPS【飞利浦】详情
厂商全称：
Philips Semiconductors
中文名称：
荷兰皇家飞利浦
内容页数：
11 页
文件大小：
265.18 kb
资料说明：
Power LDMOS transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
BLF8G27LS-100PU
制造商：
Ampleon USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS（双），共源
频率：
2.5GHz ~ 2.7GHz
增益：
18dB
功率 - 输出：
25W
封装/外壳：
SOT-1121B
供应商器件封装：
LDMOST
描述：
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B

供应商

企业：
深圳市旺财半导体有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
李先生
手机：
13332916726
询价：
电话：
0755-83209217
传真：
0755-83209217
地址：
深圳市福田区振华西路华康大厦二栋603室/柜台地址:华强广场Q2C022/工厂地址:宝安华丰工业区A栋7楼

BLF8G27LS-100P 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频恩XP

BLF8G27LS-100P

产品属性

供应商

相关型号

相近型号

BLF8G27LS-100P 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 恩XP

BLF8G27LS-100P

产品属性

供应商

相关型号

相近型号

BLF8G27LS-100P 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频恩XP