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BLF8G20LS-200V

RF Manual 16th edition

General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p

文件:9.37507 Mbytes 页数:130 Pages

恩XP

恩XP

BLF8G20LS-200V_15

Power LDMOS transistor

文件:224.31 Kbytes 页数:14 Pages

PHI

飞利浦

PHI

BLF8G20LS-200V

Power LDMOS transistor

恩XP

恩XP

BLF8G20LS-200V

Package:SOT-1120B;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:RF FET

Ampleon USA Inc.

Ampleon USA Inc.

BLF8G20LS-200V,115

Package:SOT-1120B;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B

Ampleon USA Inc.

Ampleon USA Inc.

BLF8G20LS-200V,118

Package:SOT-1120B;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B

Ampleon USA Inc.

Ampleon USA Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    BLF8G20LS-200V

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.8GHz ~ 2GHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 额定电流(安培):

    4.2µA

  • 功率 - 输出:

    200W

  • 封装/外壳:

    SOT-1120B

  • 供应商器件封装:

    LDMOST

  • 描述:

    RF FET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SMD
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更多BLF8G20LS-200V供应商 更新时间2025-12-1 16:07:00