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BLF6G20-180P	文件：49.33 Kbytes Page：8 Pages	UHF power LDMOS transistor Generaldescription 180WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom1800MHzto2000MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof1805MHzand1880MHz,asupplyvoltageof32VandanIDqof1600mA: ◆Averageoutputpower=50W	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
BLF6G20-180PN	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	ETC	ETC
BLF6G20-180PN	文件：83.85 Kbytes Page：11 Pages	Power LDMOS transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
BLF6G20-180PN,112	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-539A；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLF6G20-180RN	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	ETC	ETC
BLF6G20-180RN	文件：110.91 Kbytes Page：12 Pages	PowerLDMOStransistor Generaldescription 180WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom1800MHzto2000MHz. Features ■Typical2-carrierWCDMAperformanceatfrequenciesof1930MHzand1990MHz,asupplyvoltageof30VandanIDqof1400mA: ♦Averageoutputpower=40W	ETC	ETC

详细参数

型号：
BLF6G20-180P
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 5-Pin
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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