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BLF6G10L-40BRN中文资料PDF规格书

BLF6G10L-40BRN
厂商型号

BLF6G10L-40BRN

参数属性

BLF6G10L-40BRN 封装/外壳为SOT-1112A;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A

功能描述

Power LDMOS transistor

文件大小

328.78 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 8:04:00

BLF6G10L-40BRN规格书详情

General description

40 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1 GHz.

Features and benefits

■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 791 MHz and 821 MHz, a supply voltage of 28 V and an IDq of 390 mA:

◆ Average output power = 2.5 W

◆ Power gain = 23.0 dB

◆ Efficiency = 15.0

◆ ACPR = −42.5 dBc

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ Enhanced ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (728 MHz to 960 MHz)

■ Internally matched for ease of use

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

■ Integrated current sense

Applications

■ RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multi carrier GSM and LTE applications in the 728 MHz to 960 MHz frequency range

产品属性

  • 产品编号:

    BLF6G10L-40BRN,118

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双),共源

  • 频率:

    788.5MHz ~ 823.5MHz

  • 增益:

    23dB

  • 额定电流(安培):

    11A

  • 功率 - 输出:

    2.5W

  • 封装/外壳:

    SOT-1112A

  • 供应商器件封装:

    CDFM6

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A

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