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技术参数

GP (dB)：
23.5
Die Technology：
LDMOS
VDS (V)：
32.0
ηD (%)：
66.0
PL(1dB) (W)：
70.0
PL(1dB) (dBm)：
48.5
Test Signal：
CW pulsed
Fmin (MHz)：
10
Fmax (MHz)：
1300
Status：
Not for design in

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