| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
BLF548 | UHF push-pull power MOS transistor DESCRIPTION Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor designed for communications transmitter applications in the UHF frequency range. The transistor is encapsulated in a 4-lead, SOT262A2 balanced flange package, with two ceramic caps. The mounting flange provid 文件：123.09 Kbytes 页数：12 Pages | PHI 飞利浦 | PHI | |
BLF548 | UHF push-pull power MOS transistor 文件：116.6 Kbytes 页数：15 Pages | PHI 飞利浦 | PHI | |
BLF548 | UHF push-pull power MOS transistor | 恩XP | 恩XP | |
BLF548 | RF MOSFET | NJS | NJS | |
UHF push-pull power MOS transistor 文件：99.89 Kbytes 页数：12 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | ||
Package：SOT-262A2；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：RF FET 2 NC 65V 11DB SOT262A2 | Ampleon USA Inc. | Ampleon USA Inc. |
技术参数
- Output Power：
150W
- Number of Elements per Chip：
2
- Mode of Operation：
CW Class-B
- Maximum Gate Source Voltage：
±20V
- Maximum Frequency：
500MHz
- Maximum Drain Source Voltage：
65V
- Maximum Drain Source Resistance：
300@10VMOhm
- Maximum Continuous Drain Current Range：
10 to 20A
- Maximum Continuous Drain Current：
15A
- Configuration：
Dual Common Source
- Channel Type：
N
- Channel Mode：
Enhancement
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2017+ |
高频管 |
749 |
原装正品,诚信经营 |
询价 | ||
PHI |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
1688 |
房间现货库存:QQ:373621633 |
询价 | |||
PHI |
24+ |
12 |
询价 | ||||
PHI |
23+ |
高频管 |
550 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
恩XP |
18+ |
SOT-262A2 |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
询价 | ||
恩XP |
10+ |
3128 |
全新进口原装 |
询价 | |||
PHI |
24+ |
496 |
现货供应 |
询价 |
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