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BLF248	文件：105.14 Kbytes Page：13 Pages	VHF push-pull power MOS transistor DESCRIPTION Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor, designed for large signal amplifier applications in the VHF frequency range. The transistor is encapsulated in a 4-lead SOT262 A1 balanced flange envelope, with two ceramic caps. The mounting flange provides 文件：105.14 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BLF248	文件：22.49 Kbytes Page：1 Pages	VHF POWER MOSFET DESCRIPTION: The ASI BLF248is a Balanced N-Channel Enhancement-Mode RF Power MOSFET Designed for AM and FM Power Amplifier Applications up to 250 MHz. FEATURES INCLUDE: • PG= 11 dB Typical at 225 MHz • 5:1Load VSWR Capability • Omnigold™ metalization system 文件：22.49 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLF248	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BLF248	文件：90.33 Kbytes Page：2 Pages	VHF push-pull power MOS transistor DESCRIPTION Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor, designed for large signal amplifier applications in the VHF frequency range. The transistor is encapsulated in a 4-lead SOT262 A1 balanced flange package, with two ceramic caps. The mounting flange provides 文件：90.33 Kbytes 页数：2 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
BLF248	文件：300 bytes Page：1 Pages	VHF power MOSFET N-Channel Enhancement Mode DESCRIPTION:\nThe ASI BLF248is a Balanced N-Channel Enhancement-Mode RF Power MOSFET Designed for AM\nand FM Power Amplifier Applications up to 250 MHz.FEATURES INCLUDE:\n• PG= 11 dB Typical at 225 MHz\n• 5:1Load VSWR Capability\n• Omnigold™ metalization system	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
BLF248	文件：300 bytes Page：1 Pages	VHF push-pull power MOS transistor	恩XP	恩XP
BLF248	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF MOSFET	NJS 新泽西半导体	NJS
BLF248_15	文件：89.65 Kbytes Page：13 Pages	VHF push-pull power MOS transistor 文件：89.65 Kbytes 页数：13 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BLF248_2015	文件：89.65 Kbytes Page：13 Pages	VHF push-pull power MOS transistor 文件：89.65 Kbytes 页数：13 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BLF248,112	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-262A1；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF FET 2 NC 65V 11.5DB SOT262A1	Ampleon USA Inc.	Ampleon USA Inc.

技术参数

Output Power：
300W
Number of Elements per Chip：
2
Mode of Operation：
Class AB
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Frequency：
225MHz
Maximum Drain Source Voltage：
65V
Maximum Drain Source Resistance：
150@10VMOhm
Maximum Continuous Drain Current Range：
20 to 50A
Maximum Continuous Drain Current：
25A
Configuration：
Dual Common Source
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement

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