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BLF2425M9LS140数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
BLF2425M9LS140 |
参数属性 | BLF2425M9LS140 封装/外壳为SOT-502B;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:TRANS RF 140W LDMOST |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
封装外壳 | SOT-502B |
制造商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
中文名称 | 安谱隆 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 9:07:00 |
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BLF2425M9LS140规格书详情
描述 Description
140 W LDMOS power transistor for Industrial, Scientific and Medical (ISM) applications at frequencies from 2400 MHz to 2500 MHz.
The BLF2425M9LS140 is designed for high power CW applications and is assembled in a high performance ceramic package.
特性 Features
• High efficiency
• High power gain
• Excellent ruggedness
• Excellent reliability
• Integrated ESD protection
• Designed for broadband operation (2400 MHz to 2500 MHz)
• Internally matched
• Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)
应用 Application
• Industrial, scientific and medical applications in the frequency range 2400 MHz to 2500 MHz
简介
BLF2425M9LS140属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLF2425M9LS140晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
:BLF2425M9LS140
- 生产厂家
:Ampleon
- GP (dB)
:19.0
- PL(AV) (W)
:140.0
- Die Technology
:LDMOS
- VDS (V)
:28.0
- ηD (%)
:58.0
- PL(1dB) (W)
:140.0
- PL(1dB) (dBm)
:51.5
- Test Signal
:CW
- Fmin (MHz)
:2400
- Fmax (MHz)
:2500
- Status
:Production
- Matching
:I
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
60000 |
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Ampleon/安谱隆 |
24+ |
SOT502B |
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恩XP |
23+ |
SOT-502B |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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12300 |
询价 | |||
恩XP |
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23+ |
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