首页>BLF2324M8LS200P>规格书详情
BLF2324M8LS200P中文资料Power LDMOS transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
BLF2324M8LS200P |
| 参数属性 | BLF2324M8LS200P 封装/外壳为SOT-539B；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封装外壳 | SOT-539B |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 15:15:00 |
| 人工找货 | BLF2324M8LS200P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLF2324M8LS200P规格书详情
描述 Description
200 W LDMOS power transistor for industrial applications at frequencies from 2300 MHz to 2400 MHz.
特性 Features
• Excellent ruggedness
• High efficiency
• Low thermal resistance providing excellent thermal stability
• Designed for broadband operation (2300 MHz to 2400 MHz)
• Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
• Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
• Internally matched for ease of use
• Integrated ESD protection
• Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
应用 Application
• RF power amplifiers for industrial and multi carrier applications in the 2300 MHz to 2400 MHz frequency range
技术参数
- 制造商编号
：BLF2324M8LS200P
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：17.2
- PL(AV) (W)
：60.0
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：28.0
- ηD (%)
：32.0
- PL(1dB) (W)
：200.0
- PL(1dB) (dBm)
：53.0
- Test Signal
：1-c W-CDMA
- Fmin (MHz)
：2300
- Fmax (MHz)
：2400
- Status
：Not for design in
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
恩XP |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
SOT123 |
12300 |
询价 | |||
Ampleon USA Inc. |
2022+ |
SOT539B |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SMD |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
高频管 |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
原装 |
1922+ |
TO-59 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
询价 | ||
24+ |
800 |
询价 | |||||
PH |
23+ |
2202 |
询价 |
