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BLC6G22LS-130	文件：51.78 Kbytes Page：9 Pages	UHF power LDMOS transistor Generaldescription 130WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom2000MHzto2200MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof2110MHzand2170MHz,a supplyvoltageof28VandanIDqof950mA: ◆Outputpower=30W(AV)	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF6G22LS-130	文件：87.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerLDMOStransistor Generaldescription 130WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom2000MHzto2200MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof2110MHzand2170MHz,a supplyvoltageof28VandanIDqof1100mA: ◆Averageoutputpower=30W	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF6G22LS-130	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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功能描述

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BLC6G22LS-130

文件：51.78 Kbytes

Page：9 Pages

UHF power LDMOS transistor

Generaldescription 130WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom2000MHzto2200MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof2110MHzand2170MHz,a supplyvoltageof28VandanIDqof950mA: ◆Outputpower=30W(AV)

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

BLF6G22LS-130

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恩智浦恩智浦半导体公司

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RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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详细参数

型号：
BLC6G22LS-130
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
UHF power LDMOS transistor

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更多BLC6G22LS-130供应商更新时间2024-4-30 11:00:00

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