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BLC2425M9LS250数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
BLC2425M9LS250 |
参数属性 | BLC2425M9LS250 封装/外壳为SOT-1270-1;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701 |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
封装外壳 | SOT-1270-1 |
制造商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
中文名称 | 安谱隆 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 16:52:00 |
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BLC2425M9LS250规格书详情
描述 Description
250 W LDMOS power transistor for Industrial, Scientific and Medical (ISM) applications at frequencies from 2400 MHz to 2500 MHz.
The BLC2425M9LS250 is designed for high-power CW applications and is assembled in a high performance plastic package.
特性 Features
• High efficiency
• Excellent ruggedness
• Integrated ESD protection
• Designed for broadband operation (2400 MHz to 2500 MHz)
• Internally input and output matched
• Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
应用 Application
• RF power amplifiers for CW applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency range such as ISM applications and heating
简介
BLC2425M9LS250属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLC2425M9LS250晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
:BLC2425M9LS250
- 生产厂家
:Ampleon
- GP (dB)
:18.5
- PL(AV) (W)
:250.0
- Die Technology
:LDMOS
- VDS (V)
:32.0
- ηD (%)
:61.0
- PL(1dB) (W)
:250.0
- PL(1dB) (dBm)
:54.0
- Test Signal
:CW
- Fmin (MHz)
:2400
- Fmax (MHz)
:2500
- Status
:Production
- Matching
:I/O
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BOURNS/伯恩斯 |
23+ |
SOP-8 |
10000 |
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25 |
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Cornell-Dubilier |
新 |
28 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
Ampleon/安谱隆 |
24+ |
SOT1270-1 |
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询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
9000 |
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Ampleon USA Inc. |
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