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BLC2425M9LS250数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

BLC2425M9LS250

参数属性

BLC2425M9LS250 封装/外壳为SOT-1270-1;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701

封装外壳

SOT-1270-1

制造商

Ampleon Ampleon USA Inc.

中文名称

安谱隆

数据手册

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更新时间

2025-8-8 16:52:00

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BLC2425M9LS250规格书详情

描述 Description

250 W LDMOS power transistor for Industrial, Scientific and Medical (ISM) applications at frequencies from 2400 MHz to 2500 MHz.

The BLC2425M9LS250 is designed for high-power CW applications and is assembled in a high performance plastic package.

特性 Features

• High efficiency
• Excellent ruggedness
• Integrated ESD protection
• Designed for broadband operation (2400 MHz to 2500 MHz)
• Internally input and output matched
• Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

应用 Application

• RF power amplifiers for CW applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency range such as ISM applications and heating

简介

BLC2425M9LS250属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLC2425M9LS250晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BLC2425M9LS250

  • 生产厂家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :18.5

  • PL(AV) (W)

    :250.0

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :32.0

  • ηD (%)

    :61.0

  • PL(1dB) (W)

    :250.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :54.0

  • Test Signal

    :CW

  • Fmin (MHz)

    :2400

  • Fmax (MHz)

    :2500

  • Status

    :Production

  • Matching

    :I/O

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