BL8593中文资料充电过压保护、充电MOSFET/PNP数据手册Belling规格书
BL8593规格书详情
描述 Description
BL8593是专为电池充电控制器,它设有P沟道MOSFET特性和0.12V肖特基二极管的反向电流阻挡。这种反向电流阻挡功能切断时源电压被去除或电流,比漏极电压低,无论栅极电压指示打开或关闭的P-MOSFET。
BL8593也适用于在系统中的高侧开关与多电源,隔离不同的电源时变得很重要。
BL8593可以阻止反向电压高达10V。因此,它是一个用于移动电话系统或其它便携式设备供电1节锂离子电池足够安全。
BL8593采用DFN2×2-6L(2型引脚配置),SC70-5
应用 Application
• 手机和其它便携式设备BL8593典型效率曲线
技术参数
- 型号:
BL8593
- 制造商:
BELLING
- 制造商全称:
SHANGHAI BELLING CO., LTD.
- 功能描述:
P-Channel MOSFET with 0.12V Schottky Diode
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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BELLING |
24+ |
QFN |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
询价 | ||
上海贝岭 |
23+ |
QFN22-6 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
BELLING |
2023+ |
DFN |
3000 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
BELLING上海贝岭/原装 |
2024+ |
DFN |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
上海贝岭 |
24+ |
DFN |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
BL |
23+ |
DFN2*2-6 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
BELLING |
13+ |
DFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
BL |
23+ |
DFN2X2-6 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
BELING/上海贝岭 |
23+ |
DFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
BELLING |
2450+ |
DFN |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |