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BL300N10D	文件：300 bytes Page：1 Pages	30A, 100V, 42W, N Channel, Power MOSFETs	Galaxy 银河微电	Galaxy
IXFB300N10P	文件：134.14 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET 文件：134.14 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFB300N10P	文件：372.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 300A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5.5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION ·motor drive, DC-DC 文件：372.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFB300N10P	文件：140.7 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：140.7 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
Channel Polarity：
N
ESD：
N
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
PD(W)Max.：
42
V(BR)DSS(V)Min.：
100
VGS(V)Max.：
±20
ID(A)Max.：
30
IGSS(uA)Max.：
±1
VGS(th)(V)Max.：
3
RDS(on)(mΩ)@10VTyp.：
23
RDS(on)(mΩ)@10VMax.：
30
ECCN(US)：
EAR99
Category：
中低压功率MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BL300N10D供应商更新时间2025-12-22 14:01:00

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