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BL2301	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V, P Channel MOSFETs	Galaxy 银河微电	Galaxy
BL2301A	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V,-2.6A,P channel Small Signal MOSFET	Galaxy 银河微电	Galaxy
BL2301A-3L	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V,2.6A,Single P channel Small Signal MOSFET	Galaxy 银河微电	Galaxy
LMX2301	文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages	PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes 页数：14 Pages	NSC 国半	NSC
LMX2301TMX	文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages	PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes 页数：14 Pages	NSC 国半	NSC
NTE2301	文件：22.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin 文件：22.14 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
Channel Polarity：
P
ESD：
/
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
PD(W)Max.：
1
V(BR)DSS(V)Min.：
-20
VGS(V)Max.：
±12
ID(A)Max.：
-3
IGSS(uA)Max.：
±0.1
VGS(th)(V)Max.：
-1
RDS(on)(mΩ)@4.5VTyp.：
56
RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.：
110
RDS(on)(mΩ)@2.5VTyp.：
77
RDS(on)(mΩ)@2.5VMax.：
140
ECCN(US)：
EAR99
Category：
中低压功率MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BL2301供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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