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BL20N50

20N50,hv,高压

BL20N50, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications.\n\n • Fast switching\n• 100% avalanche tested\n• RoHS product\n;

Belling

上海贝岭

BR20N50

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:1.06799 Mbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

BRF20N50

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package

文件:868.24 Kbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

BRU20N50

N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package

文件:942.53 Kbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

技术参数

  • Mode:

    N-Channel

  • VDS(Max.):

    500V

  • ID(Max.):

    20A

  • RDS(on)(Max.):

    280mΩ

  • Qg(Typ):

    56nC

  • Package:

    TO220 TO220F TO3PN TO3PF

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
BELLING/上海贝岭
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TO220 TO220F TO3PN TO3PF
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更多BL20N50供应商 更新时间2026-4-17 9:02:00