BL18N20中文资料N-channel Enhanced MOSFETs数据手册Belling规格书
BL18N20规格书详情
描述 Description
BL18N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications.
特性 Features
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• RoHS product
技术参数
- 制造商编号
：BL18N20
- 生产厂家
：Belling
- Mode
：N-Channel
- VDS(Max.)
：200V
- ID(Max.)
：18A
- RDS(on)(Max.)
：180mΩ
- Qg(Typ)
：23nC
- Package
：TO220 TO220F TO251 TO252
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYD(比亚迪) |
24+ |
插件 |
7350 |
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询价 | ||
MPEGARRY |
23+ |
NA |
4486 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||||
BYD(比亚迪) |
2447 |
- |
115000 |
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BICONIC&ST |
24+/25+ |
12 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
2012 |
24+ |
SMD |
21322 |
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BYD比亚迪 |
23+ |
DIP |
10000 |
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询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
BYD |
2405+ |
原厂封装 |
334 |
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询价 | ||
BL |
24+ |
SOD323 |
4000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
