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BL-S3133	文件：659.3 Kbytes Page：2 Pages	STANDARD LED LAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-S3133	文件：400.53 Kbytes Page：5 Pages	STANDARD LED LAMPS (CYLINDRICAL TYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-T3133-T	文件：974.72 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS(TRIANGULAR&OVALTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
CEC3133	文件：748.28 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-30A,RDS(ON)=17mW@VGS=-10V. RDS(ON)=26mW@VGS=-4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED3133	文件：778.43 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-35A,RDS(ON)=16mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=27mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3133	文件：671.11 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-9.3A,RDS(ON)=18mW@VGS=-10V. RDS(ON)=26mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CET3133	文件：641.27 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-10A,RDS(ON)=19mW@VGS=-10V. RDS(ON)=29mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU3133	文件：778.43 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-35A,RDS(ON)=16mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=27mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEZ3133	文件：891.64 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-36A,RDS(ON)=16mW@VGS=-10V. RDS(ON)=27mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEZC3133	文件：1.01027 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-30A,RDS(ON)=17mW@VGS=-10V. RDS(ON)=26mW@VGS=-4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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