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ICS9131	文件：300.67 Kbytes Page：8 Pages	32KhZMotherboardFrequencyGenerator GeneralDescription TheICS9131offersatinyfootprintsolutionforgeneratingaselectableCPUclockfroma32.768kHzcrystal.ThedeviceallowsavarietyofmicroprocessorstobeclockedbychangingthestateofaddresslinesFS0,FS1,andFS2.TheICS9131istheidealsolutionforreplacin	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
ICS9131	文件：295.07 Kbytes Page：8 Pages	32KhZMotherboardFrequencyGenerator GeneralDescription TheICS9131offersatinyfootprintsolutionforgeneratingaselectableCPUclockfroma32.768kHzcrystal.ThedeviceallowsavarietyofmicroprocessorstobeclockedbychangingthestateofaddresslinesFS0,FS1,andFS2.TheICS9131istheidealsolutionforreplacin	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
IRF9131	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9131	文件：290.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9131	文件：270.81 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFF9131	文件：687.87 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs -5.5Aand-6.5A,-60Vand-100VrDS(on)=0.30Ωand0.40Ω TheIRFF9130,IRFF9131,IRFF9132andIRFF9133areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearep-channelenhancement-modesilicon-gat	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9131	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP9131	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP9131	文件：271.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9131	文件：314.81 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
BL-R9131C
制造商：
BRIGHT
制造商全称：
BRIGHT LED ELECTRONICS CORP
功能描述：
GaP/GaP pure green Low power consumption.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	BL-R9131C	BRIGHT	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市旺财半导体有限公司	BLRB520S-30T1	ON	23+		4000	正品原装货价格低	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BLRCW-21	C&H	23+		10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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