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BGN40Q120SD	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT单管 IGBT采用先进的FS技术，采用软、快速恢复反并联二极管 • 1200V平面场阻技术\n• 正温度系数\n• 耐短路时间-10μs;	BYD 比亚迪半导体	BYD
BGS110MN20E6327	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	INFINEON(英飞凌) 上传：深圳万励电子科技有限公司三部	INFINEON(英飞凌)
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技术参数

集电极电流(A)：
40
集电极发射极间饱和电压(V)：
2.1

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更多BGN40Q120SD供应商更新时间2026-1-28 16:31:00

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